微電子專業(yè)哪個一本院校好 要找一本有關于微電子或集成電路的書(英文版或中英...

杭州電子科技大學

杭州電子科技大學在浙江省的高校中雖然算不上第一軍團，但特色明顯。尤其是電子、通信、計算機方面的專業(yè)，在電子信息行業(yè)業(yè)內還是很受認可的，就業(yè)形勢非常不錯。

數(shù)據最能說明問題。曾有媒體統(tǒng)計過該校2009屆通信工程專業(yè)212名畢業(yè)生的就業(yè)走向：30%就讀本專業(yè)研究生，15%左右在IT企業(yè)從事研究和設計工作，20%左右在IT企業(yè)從事技術支持和測試等相關工作，25%左右在IT企業(yè)從事網絡規(guī)劃設計和網絡優(yōu)化工作。怎么樣，就業(yè)形勢一片大好吧。

不過，提醒對這些專業(yè)感興趣的同學，這些專業(yè)對數(shù)學和物理的要求都非常高，尤其是數(shù)學，一定要學好。

重慶郵電大學

重慶郵電大學偏安于西南一隅，校園環(huán)境優(yōu)美，空氣清新，但這并沒有妨礙它在通信領域“揚名立萬”――到中興、騰訊、華為、大唐、移動、聯(lián)通、電信、華碩這樣的IT公司走一遭，你就會發(fā)現(xiàn)重郵的名號響當當。

在重郵，最王牌的當屬通信專業(yè)，這一專業(yè)的畢業(yè)生已經在通訊行業(yè)內樹立了非常好的口碑，因此，每年的畢業(yè)招聘中，該專業(yè)的學生在一些大的通訊類公司中都非常受歡迎。此外，重郵的電信，計算機和微電子都是很不錯的專業(yè)。

理學門類分為數(shù)學類、物理學類、化學類、天文學類、地理科學類、大氣科學類、海洋科學類、地球物理學類、地質學類、生物科學類、心理學類、統(tǒng)計學類、理科試驗班類，專業(yè)包括信息與計算科學、應用化學、物理學、化學、生物科學、生物技術、應用心理學、地理科學等等。

1、工學門類分為力學類、機械類、材料類、儀器類、電氣類、自動化類、紡織類、輕工類、兵器類、建筑類、測繪類、水利類、地質類等32類，主要專業(yè)有機械設計*及其自動化、測控技術與儀器、工業(yè)設計、材料科學與工程、通信工程、自動化等。

2、農學門類分為水產類、植物生產類、動物生產類、動物醫(yī)學類、草學類、林學類、自然保護與環(huán)境生態(tài)類，主要專業(yè)有農學、林學、園林、水產養(yǎng)殖學、動物醫(yī)學等等。

3、醫(yī)學門類分為臨床醫(yī)學類、口腔醫(yī)學類、藥學類、法醫(yī)學類、基礎醫(yī)學類、醫(yī)學技術類、中醫(yī)學類、中藥學類、中西醫(yī)結合類、公共衛(wèi)生與預防醫(yī)學類、醫(yī)學實驗班，專業(yè)主要有預防醫(yī)學、中醫(yī)學、針灸推拿學、醫(yī)學影像學、臨床醫(yī)學、口腔醫(yī)學、藥學等等。

4、此外，理科生還可以報考經濟學類下的經濟統(tǒng)計學，這個專業(yè)對數(shù)學要求比較高，所以更適合理科生報考。

擴展資料：

適合女生的理科專業(yè)有：

1、護理專業(yè)：護理專業(yè)有些考生會認為相對辛苦一些，但是護理專業(yè)的的就業(yè)緊缺是不可忽視的事實。

2、計算機專業(yè)：計算機專業(yè)畢業(yè)以后可以當程序員之類的，和計算機打交道，如果你對計算機有興趣也可以。

3、財務金融：考生在該專業(yè)畢業(yè)后一般可以在在基金公司主要從事基金績效評估、風險控制、資產配置等工作；在證券公司主要從事會計、審計等工作；在銀行從事財務管理、風險投資等工作。

4、工商管理：工商管理也是比較熱門的專業(yè)，能從事市場營銷、企業(yè)管理、國際商務、人力資源和國際物流等工作，就業(yè)面十分廣泛，待遇也處于各行業(yè)較高地位。

5、會計學：學習課程包括管理學、微觀經濟學、宏觀經濟學、管理信息系統(tǒng)、統(tǒng)計學、會計學、財務管理、市場營銷、經濟法、財務會計、成本會計、管理會計、審計學等。

對于理科女生學習是比較有利的，學習內容也偏于理科方面。畢業(yè)后考生可以在各企業(yè)、事業(yè)單位從事會計相關工作。

參考資料：

百度百科-理科

一、解答：

（美國）耶格（Richard C.Jaeger） （美國）布萊洛克（Travis N.Blalock）的《微電子電路設計》

二、拓展：

1、圖書信息：

出版社: 電子工業(yè)出版社; 第1版 (2011年1月1日)

外文書名: Microelectronic Circuit Design

叢書名: 國外電子與通信教材系列

平裝: 1334頁

正文語種: 英語

開本: 16

ISBN: 9787121127120, 7121127121

條形碼: 9787121127120

尺寸: 25.8 x 18.4 x 4.6 cm

重量: 2 Kg

2、作者簡介：

作者：（美國）耶格（Richard C.Jaeger） （美國）布萊洛克（Travis N.Blalock）

3、內容簡介：

第一部分介紹固態(tài)電子學與器件，討論了電子學的發(fā)展與電路分析方法和微電子器件的工作原理、I-V特性及SPICE模型等。第二部分為數(shù)字電路，包括數(shù)字電路的基本概念和CMOS電路、存儲電路、ECL與TTL等雙極型邏輯電路以及BiCMOS電路。第三部分為模擬電路，以理想運算放大器和SPICE仿真為基礎介紹了不同結構運算放大器的相關特性、小信號模型、具體分析方法和集成設計技術，最后討論了放大器的頻率響應、反饋和振蕩器等問題。通過學習《微電子電路設計(第4版)(英文版)》可以了解現(xiàn)代微電子電路設計，包括模擬與數(shù)字，分立與集成，了解內部結構也有利于系統(tǒng)設計中對集成電路的適當選擇。讀者對象：《微電子電路設計(第4版)(英文版)》適用作電子與信息類各專業(yè)本科生基礎課的雙語教材或參考書，也可作為相關領域工程技術人員的參考資料。

4、目錄

Preface xx

PART ONE

SOLID STATE ELECTRONIC AND DEVICES 1

CHAPTER 1 INTRODUCTION TO ELECTRONICS 3

1.1 A Brief History of Electronics:

From Vacuum Tubes to Giga-Scale

Integration 5

1.2 Classification of Electronic Signals 8

1.2.1 Digital Signals 9

1.2.2 Analog Signals 9

1.2.3 A/D and D/A Converters-Bridging the Analog and Digital Domains 10

1.3 Notational Conventions 12

1.4 Problem-Solving Approach 13

1.5 Important Concepts from Circuit Theory 15

1.5.1 Voltage and Current Division 15

1.5.2 Th′

evenin and Norton Circuit Representations 16

1.6 Frequency Spectrum of Electronic

Signals 21

1.7 Amplifiers 22

1.7.1 Ideal Operational Amplifiers 23

1.7.2 Amplifier Frequency Response 25

1.8 Element Variations in Circuit Design 26

1.8.1 Mathematical Modeling of Tolerances 26

1.8.2 Worst-Case Analysis 27

1.8.3 Monte Carlo Analysis 29

1.8.4 Temperature Coefficients 32

1.9 Numeric Precision 34

Summary 34

Key Terms 35

References 36

Additional Reading 36

Problems 37

CHAPTER 2 SOLID-STATE ELECTRONICS 42

2.1 Solid-State Electronic Materials 44

2.2 Covalent Bond Model 45

2.3 Drift Currents and Mobility in

Semiconductors 48

2.3.1 Drift Currents 48

2.3.2 Mobility 49

2.3.3 Velocity Saturation 49

2.4 Resistivity of Intrinsic Silicon 50

2.5 Impurities in Semiconductors 51

2.5.1 Donor Impurities in Silicon 52

2.5.2 Acceptor Impurities in Silicon 52

2.6 Electron and Hole Concentrations in Doped

Semiconductors 52

2.6.1 n-Type Material （ND >NA ） 53

2.6.2 p-Type Material （NA >ND ） 54

2.7 Mobility and Resistivity in Doped

Semiconductors 55

2.8 Diffusion Currents 59

2.9 Total Current 60

2.10 Energy Band Model 61

2.10.1 Electron-Hole Pair Generation in an Intrinsic Semiconductor 61

2.10.2 Energy Band Model for a Doped Semiconductor 62

2.10.3 Compensated Semiconductors 62

2.11 Overview of Integrated Circuit

……

Fabrication 64

Summary 67

Key Terms 68

Reference 69

Additional Reading 69

Important Equations 69

Problems 70